產(chǎn)品特點(diǎn)

　　采用IGBT模塊做逆變單元，IGBT相對于可控硅來講，開關(guān)速度快，損耗低;

　　主回路采用串聯(lián)諧振。為電壓諧振，回路中電壓高，電流小，銅損少;

　　電源輸入端采用全橋不控整流，高次諧波小，對電網(wǎng)產(chǎn)生的污染和干擾少。

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　　因此IGBT中頻電源相對可控硅電源具有電源轉(zhuǎn)換效率高，感應(yīng)器發(fā)熱量小，不污染電網(wǎng)，綜合節(jié)電可達(dá)到10%-30%。

　　主要參數(shù)